6月2日消息，2024年台北电脑展前夕， 英伟达 CEO 黄仁勋 进行了一场AI时代如何助推全球新工业革命的演讲。演讲中，黄仁勋透露2026年英伟达将推出下一代平台。
黄仁勋在演讲中公布了芯片产品的年度升级计划。黄仁勋表示，Blackwell芯片现已开始生产，英伟达计划每年升级AI加速器/AI芯片，预计2025年推出Blackwell Ultra。
另外，他表示，下一代AI平台将命名为Rubin。
今年GTC大会上，英伟达发布了新一代的架构平台Blackwell和B200芯片产品，基于 Blackwell 架构的芯片是目前世界上最快的 AI 芯片，也是迄今为止最昂贵的芯片。据Wccftech报道，虽然英伟达要等到今年下半年开开始出货基于 Blackwell 架构的各类产品，但是预订的价格已经被推得相当高。
来自汇丰银行的分析师预计，GB200 NVL36/NVL72计算平台的定价分别为180万美元和300万美元，GB200的定价为6万至7万美元，B100的定价为3万至3.5万美元。（崔玉贤）
英伟达的GTX290显卡什么时候出？
最新消息又说新核心又遇到了麻烦，基于GT200核心的GeForce GTX 260/，新卡没有推迟，而是已经开始出货在第三季度财报发布会的问答阶段，NVIDIA总裁黄仁勋透露了一些有关55nm工艺新品的消息，但也带来了一些困惑。 黄仁勋在回答高盛分析师James Schneider的提问时说：“我们的库存里仍然有65nm(显卡)，而GTX 270/290就不是了，黄仁勋的话也就不矛盾了。 2、最新的传闻是错的、NVIDIA的确已经全面转向55nm工艺，GTX 270/290也已经准备完毕。 ”我们知道。 3、高端型号在NVIDIA的产品线里可能还不是最顶级的，所以NVIDIA和显卡厂商不得不先清空旧型号再发布新品;280都是65nm工艺生产的，而NVIDIA正在开发采用55nm工艺的新核心GT206;290，并命名为GeForce GTX 270/，但是由于Radeon HD 4800系列表现出乎意料，导致GTX 260/280销量不如预期，至今仍有不少库存，不得不继续推迟。 两款升级版显卡最初计划在第三季度末发布，但至今未见踪影，这显然和黄仁勋的话有些不一致。 到底怎么回事儿呢？1，且发布在即，之上还有发烧级。 这样划分的话，9800 GTX+等是高端品。 无论如何我们只能继续耐心等待并且祈祷一切顺利了，但现在生产的全部都是55nm。 目前出货的所有高端型号都是55nm的
什么是显卡··显卡贵吗·什么显卡最好
● 图形性能测试总结：在GTX200系列显卡强大的性能面前，给我们印象最深的非全特效流畅运行Crysis莫属，虽然9800GX2也能达到同样的效果，但是靠的却是两个核心。 对于发烧友来说顶多使用两块9800GX2，但是GTX280就不同，支持三路SLI是其攀登性能巅峰的杀手锏。 GTX280在3DMark Vantage中流畅的画面与不错的成绩令人刮目相看，可以说在这方面GTX200核心是没有对手的。 3DMark Vantage测试项目加入了不少物理计算来考验CPU性能，实际上将这部分运算交给GPU更加合适，GTX200核心具备了更强的物理加速技术，但这需要游戏的支持。 我们有理由相信将来会有不少PC游戏涉及物理运算，并且让GPU来处理，届时GTX200系列的潜能就可以进一步发挥！● 并行计算测试总结：14亿个晶体管是个什么概念？可能很多人还不太理解，这里举个例子：Intel下一代六核心至强7400处理器（Dunnington核心）拥有19亿晶体管，这颗处理器是由三颗双核心处理器封装而成，外加16M三级缓存，所有的这些累计起来也才19亿，并使用45nm工艺制造而成。 而GTX200核心是真正的原生单GPU，使用较早的65nm工艺制造而成，GTX200不仅是最复杂的GPU，而且是史上最复杂的半导体芯片，它的诞生具有划时代意义！在NVIDIA连续三年稳居3D图形王座的格局下，GTX200的发布不仅仅是为了巩固王位，其更高层次的目的就是，从3D图形走向通用计算，从而向CPU发起挑战。 GTX200的核心架构是图形架构和并行结算架构的统一体，NVIDIA在设计之初就考虑到了通用计算的需要，为此对核心诸多模块进行了优化设计，硬件方面做好了充分准备；在软件方面，基于C语言的CUDA平台被越来越多的开发者所采用，简单易上手的开发套件为GPU的通用计算扫清了障碍，现在GPGPU被大规模采用只是时间问题。 NVIDIA只花了一个月的时间，就完成了将PhysX物理引擎从PPU到GPU的移植，由此足以证明CUDA强大的功能及易用性。 现在，很多基于GPU的非3D程序正在开发中（已经有Beta版本），比如本文中测试过的BadaBOOM视频转换软件、Folding Home分布式科学计算、Adobe Reader PDF浏览加速、PhotoShop CS4硬件加速、图片/地图搜索加速……可以预见的是，未来必将会有更多的GPU非图形应用走入千家万户！● 迎接视觉计算时代来临：从GeForce（民用消费）、Quadro（专业设计）、Tesla（科学计算）再到针对移动手持设备的Tegra，黄仁勋（Jen-Hsun Huang）领军的NVIDIA正一步步开创着属于他的图形帝国、引领视觉计算时代的来临。 相比CPU处理器多年面临的需求不足，NVIDIA创造需求推陈出新的做法使其更受推崇。 然而横挡在NVIDIA面前的仍然是座大山（Intel），尽管这座大山看上去那么遥不可及。 但在黄仁勋看来，3D图形终将成为PC(个人电脑)产业中，最重要的应用之一。
缩小半导体工艺尺寸能走多远?
特约撰稿 莫大康 推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。 由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。 尽管摩尔定律快“寿终正寝”的声音已不容置辩，但是14nm的步伐仍按期走来，原因究竟是什么? 传统光刻技术与日俱进 当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能力，必须采用辅助的两次图形曝光技术。 提高光刻的分辨率有3个途径：缩短曝光波长、增大镜头数值孔径NA以及减少k1。 显然，缩短波长是最主要的，而且方便易行。 目前市场的193nmArF光源是首选，再加入浸液式技术等，实际上达到了28nm，几乎已是极限(需要OPC等技术的帮助)。 所以Fabless公司NVIDIA的CEO黄仁勋多次呼吁工艺制程在22/20nm时的成本一定相比28nm高。 其理由是当工艺尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术(DP)。 从原理上讲，DP技术易于理解，甚至可以3次，或者4次。 但是这样带来两个大问题，一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。 所以业界心知肚明，在下一代光刻技术EUV尚未到来之际，采用DP是不得已而为之，实际上在技术上的可行性并不是问题，更多的是要从经济层面做出取舍的决定。 193nm光刻技术在计算的光刻技术辅助下，包含两项关键的创新，一个是同时带OPC(光学图形修正)的两次图形曝光技术，另一个是采用一种倒转的光刻技术来改善困难的布局复制，可以在局部区域达到最佳化。 因此可以相信，传统的193nm浸液式光刻技术加上两次图形曝光技术(DP)，甚至4次，从分辨率上在2015年时有可能达到10nm，这取决于业界对于成本上升等的容忍度。 7nm还是5nm 除了工艺尺寸缩小之外，产业尚有多条路可供选择，如450mm硅片、TSV 3D封装等。 何时能够达到7nm或者5nm，截至今日尚无人能够回答，因为EUV何时进入也不清楚。 乐观的估计可能在2015年或2016年。 如果真能如愿，可能从10nm开始就采用EUV技术，一直走到5nm。 但是目前业界比较谨慎，通俗一点的说法仍是两条腿走路。 在今年的Semicon West上各厂家的反应也是如此。 Nikon正努力延伸193nm的浸液式技术，甚至包含450mm硅片;而ASML由于获得英特尔、三星及台积电的支持，正加快NXE 3300B实用机型的发货。 据说已经有6台NXE 3100 EUV设备在客户处使用，累积产出硅片已达片。 另外，下一代EUV设备NXE 3300B已开始安装调试，计划2013年共发货5台，另有11台NXE 3300B的订单在手及7台订单在讨论中。 ASML正在准备450mm光刻机，它是客户共同投资计划中的一部分。 公司有信心将3台EUV的营收落实在2013年的销售额之中。 ASML在2013年展览会的演讲中详细描绘了业界期待已久的EUV光源路线图，近期Cymer公司已推出了专为ASML光刻机配置的40W极紫外(EUV)光源，工作周期高达每小时30片，并计划在2014年时NXE 3300B中的光源升级达到50W，相当于43WPH水平。 而100W光源可能要等到2015年或2016年，相当于73WPH。 至于何时出现250W EUV光源，至少目前无法预测，除非等到100W光源成功，并有出彩的表现。 500W光源写进路线图中是容易的，但是未来能否实现还是个问题。 只要实现73WPH，可以认为EUVL已达到量产水平，因为与多次曝光技术相比，它的成本在下降。 在10nm节点以下如果继续釆用MP多次曝光技术，则可能需要4x甚至8x的图形成像技术。 因为从理论上讲，硅晶格大小约0.5nm，通常大于10个晶格尺寸，即约5nm时，才可能有好的硅器件功能，所以可以认为5nm是工艺尺寸的最终极限。 预测在2024年以后半导体产业可能发生革命性变化，电荷不再是传输信息的唯一载体，同时计算架构也可能发生革命。 另外，ASML、IMEC及Applied Materials等共同协作，认为采用EUV技术有可能达到小于7nm，由于EUV技术同样也可采用DP两次图形曝光技术来提高分辨率。 随着半导体产业的继续发展，之后的每一个工艺节点进步都要付出极大的代价，要求达到财务平衡的芯片产出数量巨大。 现在市场上已很难找出几种能相容的产品，因此未来产业面临的经济层面压力会越来越大。 然而除了尺寸缩小之外，产业尚有多条路可供选择，如450mm硅片、TSV 3D封装，FinFET结构与III-V族作沟道材料等，此外还有应用商店。 而站在客户立场，他们并非知道芯片的内部构造，仅是需要价廉、实用，而又方便使用的电子终端产品。
