IT之家 5 月 23 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 顾问、前任 CTO 马丁・范登布林克（Martin van den Brink）近日称，这家光刻机制造商考虑推出一个通用 EUV 光刻平台。
范登布林克在本月 21~22 日举行的 2024 年度 imec ITF World 技术论坛上表示：
根据瑞利判据公式，更高的数值孔径意味着更好的光刻分辨率。
范登布林克表示，未来的 Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程，规避通过 High NA 光刻机双重图案化实现同等精度带来的额外步骤与风险。
多种 EUV 光刻机共用一个基础平台，在降低开发成本的同时，也便于将 Hyper-NA 机台的技术改进向后移植到数值孔径更低的光刻机上。
根据IT之家此前报道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 就导入了为 High NA 光刻机开发的快速载物台移动系统。
▲ 马丁・范登布林克像。图源 imec 官方领英账户动态
此外，ASML 还计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量从目前的每小时 200~300 片增加到每小时 400~500 片，从而提升单台光刻机的生产效率，在另一个侧面降低行业成本。
在演讲中范登布林克还提到：“当前人工智能的发展趋势表明，消费者对多种应用有着强烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、计算能力和所需的海量数据集。”
ASML和台积电如何通过EUV光刻和Chiplet技术捍卫摩尔定律？
摩尔定律的关键突破：Intel、台积电、ASML的EUV与封装技术在CSTIC上海大会的先进制造与封装主题讨论中，ASML的研发副总裁Anthony Yen强调了EUV光刻技术的重要性。他指出，EUV是当前唯一能处理7nm及以下工艺的工具，被认为是突破摩尔定律瓶颈的关键因素，其市场表现强劲，如2019年第四季度ASML售出的53台EUV NXE：3400系列已实现1000万片芯片生产。
三星电子紧跟步伐，已采用EUV设备制造10nm DRAM芯片，并计划在2021年广泛应用，推动更先进的DRAM工艺。台积电研发副总裁Doug Yu则将目光投向Chiplet小芯片系统封装技术，认为这能有效延长摩尔定律的生命力。台积电的LIPINCONTM技术，以8GB/s/pin的高速数据传输，旨在优化芯片性能，并计划在2021年批量生产3D SoIC封装技术，以提升高性能芯片的性价比。
Intel院士Ravi Mahajan引用Yole的数据预测，先进的封装市场到2024年将达440亿美元规模，这推动Intel在2.5D和3D封装领域加快部署。Intel的EMIB多芯片互联技术正努力推进至30-45nm，而3D Foveros则瞄准20-35nm的工艺水平。
这些先进技术的发展，无疑在维护和推动着摩尔定律的持续演进，展现出半导体行业对于突破技术瓶颈的不懈追求。
ASML光刻机，世界半导体商家争夺的“香饽饽”
ASML（荷兰光刻机制造商阿斯麦）传来新消息，关于新一代EUV（极紫外线或者远紫外线）光刻机，核心三大件已到货，分别包括物镜系统高 NA 机械投影光学器件，光源系统镜头以及新款的晶圆载物工作台。
目前，不清楚三大件来自哪国的哪家供货商，不过，ASML只需要按部就班进行测试，估计能在2023年发布High-NA EUV光刻机的原型机。然后到2024年量产，2025年大批量出货，并且在这之后成为ASML新的旗舰主力。
在未来5到10年内，High-NA EUV光刻机将带领世界芯片工艺走上新的高度。写到这里，作为中国人我们只能羡慕嫉妒的份了，不能怪荷兰的制造商阿斯麦，要怪就怪老美这个“大坏蛋”，我们还是继续努力吧！
ASML正在努力开发下一代High-NA EUV光刻机，具体型号为EXE:5000。这台光刻机将采用高数值孔径系统打造，孔径数提升到了0.55，是生产2nm及以下芯片的关键设备。目前这台光刻机已经被英特尔、台积电、三星预订了。
那么ASML新一代的High-NA EUV光刻机有何进展呢？众所周知，荷兰阿斯麦所生产的光刻机几乎垄断了全球范围内的高端市场，包括台积电、三星、英特尔、以及其他半导体制造厂商，每年都会为了争夺阿斯麦极其稀少的光刻机购买名额而煞费苦心，苦苦求而不得。
台积电和三星的7nm/5nm工艺，都是依赖ASML光刻机来进行生产。据英特尔内部透露，他们也将拥有ASML下一代High-NA EUV最强光刻机，2025年就会开始用以制造芯片。
近年来，半导体制造行业的竞争愈演愈烈，但对于这个准入门槛极其严苛，且投入成本庞大的专业领域来说，依然是台积电、三星等传统巨头的天下。总部位于荷兰的ASML，虽然是全球最大的光刻机制造商，但是在这背后，其实离不开英特尔等美企成立的EUV联盟支持。
EUV联盟，顾名思义就是专门研制EUV极紫外光源技术的组织，是美国英特尔发起了EUV联盟，虽然EUV联盟有不少美企，但满足EUV光刻机生产条件的企业并不多。最终EUV联盟挑选了一家企业作为扶持对象，全力支持对方完成EUV光刻机的量产，而ASML被成功选中。
但也因此ASML需要受到西方国家技术的制约，能不能向外界自由出货EUV光刻机，需要获得EUV联盟的许可。
很多人都期待ASML能将EUV光刻机发往大陆，给大陆芯片制造商提供支持。但了解的人都知道，美国一直在干涉ASML自由出货EUV光刻机的状态。时至今日，ASML也没有拿到自由出货EUV光刻机的许可。这并非ASML的意愿，毕竟中国大陆这么大的市场，ASML自然是希望布局越大越好。
就像2023年第一季度，ASML向大陆交付了23台光刻机，超过了其他市场地区的出货量。由此可见，ASML对大陆市场重视程度非常高。
由于EUV光刻机不能出货的缘故，所以ASML向大陆交付的光刻机都是DUV光刻机及其它型号的设备。虽然很多人都希望最先进的光刻机研发出来并量产后，ASML旧款EUV光刻机能因此被安排自由出货，但是这种想法目前来看不现实。与其希望对方如何行事，不如自己努力前行，把握好核心技术的研发，走适合自己的路吧。
最后普及一下EUV光刻机和DUV光刻机：光谱大致分为红外线、可见光和紫外线、X射线、伽马射线等。紫外线（UV）与X射线之间有深紫外线(DUN)和极紫外线（EUV）。
ASML 拼命研制的新款高 NA EUV 光刻机或将是最后一代，你怎么看？
ASML，全球领先的光刻机制造商，正在研制一款新的高NA EUV光刻机，可能将成为最后一代。 这款新机器将具有0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达8nm，旨在尽可能避免在3 nm及以上节点中的双重或多重曝光。 此外，ASML还在努力降低EUV和High NA图案化的成本，这可能需要十年的努力。 对于这款新光刻机的看法，可以从以下几个方面进行分析：首先，这款新光刻机的推出将有助于满足下一代2nm制程工艺的需求。 随着科技的发展，芯片制程工艺也在不断进步，现有的EUV光刻机已经不能满足未来的需求。 因此，这款新光刻机的推出将有助于推动半导体技术的发展。 其次，ASML正在努力降低EUV和High NA图案化的成本。 这是一个长期且艰巨的任务，需要ASML和其合作伙伴进行持续的研发和投入。 然而，只要性能还没有达到193纳米光刻的水平，就有很大的改进空间。 最后，新光刻机的推出也将对半导体产业产生深远影响。 光刻机的迭代使这种设备拥有了更高的光刻分辨率、更高效的生产效率、更简单的光刻工艺。 这将有助于提高芯片的生产效率，降低生产成本，推动半导体产业的发展。 总的来说，ASML新款高NA EUV光刻机的推出是半导体技术进步的重要一步，将对半导体产业产生深远影响。 然而，这还需要ASML和其合作伙伴进行持续的研发和投入，以克服各种挑战，实现技术的突破。
