据科创板日报，三星代工业务部门将于6月12日至13日在美国硅谷举办代工与SAFE论坛。届时，其将公布其最新的技术路线图，1nm量产计划将从2027年提前到2026年。
手机续航2周！1nm芯片工艺技术曝光：性能提升200%，功耗降低85%
目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺，根据最新消息称，三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺，而1nm将成为分水岭，需要突破全新半导体技术。 而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破，搭载此芯片的手机续航可达2周。 在今年上半年，三星和IBM公布了全球2nm工艺芯片，现在双方在1nm工艺上又有了新的突破，推出了VTFET（垂直传输场效应晶体管）技术，与传统晶体管的电流水平方向传输不同，是垂直方向传输的，有望进军1nm及以下工艺。 根据三星和IMB的官方说法是，VTFET技术有两个优势，一是可以绕过现有技术等多种限制，进一步扩展摩尔定律，另一个就是大幅度提高性能，采用VTFET技术的芯片，速度可以提升多达2倍，降低85%的功耗。 如果这个技术量产了，那么手机芯片能效比将大幅提高，手机可以充一次电使用2周时间，不过目前三星和IBM还没有公布1nm量产的时间，所以还是要等的。
1nm芯片什么时候量产
2027。 根据查询太平洋科技网显示，1nm工艺制程最快在2030年量产，现最高芯片是4nm已经量产，代表为美国高通骁龙8gen1和中国联发科的9000。
1nm芯片什么时候量产
1. 2027年。 2. 根据太平洋科技网的数据显示，1nm工艺的芯片制程最快将在2030年实现量产。 3. 目前市场上最先进的芯片是4nm工艺，已经实现量产，代表产品有美国高通的骁龙8gen1和中国台湾联发科的9000系列。
