钛媒体App 6月6日消息，正在进行的台北国际计算机展（Computex）上，芯片巨头英特尔（Intel）发布三个关于 AI 算力的相关产品消息。
据环球时报，会后群访交流中，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）表示，该公司希望向中国大陆供应尽可能多的芯片，并将继续提供像Gaudi这样的 AI 芯片产品。但他同时警告称，美国过于严格的出口管制，只会刺激亚洲主要经济体发展自己的半导体。
“这个问题很复杂。出口限制对我来说，有一条神奇的线。我曾评论说，如果这条线过于严格，那么中国必须建立自己的芯片。对我来说，这是一个非常谨慎的平衡，什么是适当的。我认为如果他们限制太多，那么中国必须务实地依赖自己的产品，这会损害出口市场。正如我要说的，好的政策是要小心控制的。（美国）出口的技术，特别是制造技术，可以最大限度地提高产品和出口。显然，我们也在继续寻求向中国出口我们所有产品，我们将继续在中国生产像Gaudi这样的产品。我还想说的一点是，由于出口限制，我们看到全球产品和英特尔产品的吸引力将继续保持高水平，因为中国本地芯片制造商将很难通过这个线。因此，随着我们继续进入2nm以下甚至更高的领域，英特尔产品进入中国市场将会很有吸引力。因此，我相信我们将继续拥有良好的市场机会。”基辛格表示。
过去一段时间，美国不断收紧先进芯片和芯片制造工具的对华出口管制。这些控制措施不仅影响到英特尔，也影响到其竞争对手AMD和英伟达。而6月6日，英伟达超越苹果，成为市值3万亿美元的第二大科技巨头，也是全球市值最高的芯片企业，但包括英伟达H100等高端GPU、AI 芯片被限制对华出口。
英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）
基辛格表示，英特尔在技术上领先于中国竞争对手，而中国竞争对手无法获得最先进的工具，这可以使英特尔在中国市场上具有竞争优势。但基辛格也补充称， 如果美国对中国芯片行业的打压过于强硬，就有适得其反的风险，“如果这条线的限制太过严格，那么中国就必须生产自己的芯片。”
上个月，拜登政府撤销了英特尔和高通对华为出口芯片的许可。中国商务部就此事回应指出，美方所作所为已严重违背“不寻求与华脱钩”“不阻碍中国发展”的承诺，更与其“精准界定国家安全”的说法背道而驰。中方将采取一切必要措施，坚定维护中国企业的正当权益。
随后英特尔披露，由于向华为销售芯片受到新的限制，该公司二季度收入将低于此前的预期，预计第二财季营收将低于130亿美元，但仍在此前预测的125亿至135亿美元区间内。
据透露，英特尔已经开始大规模出货AI PC芯片产品，预计即将出货的Lunar Lake架构产品将为20家OEM供应商的80多种不同的AI PC设备提供支持。英特尔预计，今年将在市场上部署超过4000万台英特尔Core Ultra AI PC处理器。
基辛格表示，“AI正在推动业界有史以来最具影响力的创新时代之一。硅的魔力再次推动计算领域的指数级进步，这将突破人类潜能的界限，并在未来几年推动全球经济。英特尔提供从半导体制造到 PC、网络、边缘和数据中心系统，结合强大的硬件和软件生态系统，正在为客户提供灵活、安全、可持续且经济高效的解决方案，帮助他们最大限度地把握未来的巨大机遇。”
（本文首发于钛媒体App，作者｜林志佳，编辑｜胡润峰）
英特尔移动平台全球市场占有率达90%以上，从产品技术角度来讲，你认为英特尔的技术优势具体在哪些方面?
一直以来，英特尔在工艺技术方面都处于领先地位，进入65nm时代，其领先业界其他对手的幅度更为巨大。 2005年10月18日，英特尔65nm技术开始交付盈利，在处理器方面，基于65nm工艺的双核Pentium D出货比例逐步加大。 进入酷睿时代，在今年的9月份，英特尔65nm产品出货量超过4000万，65nm出货比例首次达到与90nm持平，65nm时代正式到来● 65nm技术有何优势？高工艺有何优势？可能很多人会直接想到的是成本的降低，但实际上还远远不止于此。 相比90nm工艺，65nm能够使芯片的晶体管密度达到原来的两倍，这样内核体积更小，也可以理解为单芯片上可以拥有的内核数量更多65nm工艺还可以提升晶体管的性能超过20%，或者可以保持在性能稳定的基础上，泄露电流降低5倍。 此外，晶体管尺寸缩小，可以使切换功率下降达30%。 联想到酷睿微架构中的电源管理技术，可以说只有65nm这样的工艺才可以实现Rob Willoner表示，想实现单芯片拥有四个核心，那么65nm工艺可以说是必须的。 英特尔之所以能够保证最近几代产品在性能提升的同时，功耗降低或保持不变，与工艺技术有很大的关系。 在这一点上，我们的竞争对手就无法做到● 英特尔65nm产能探秘有了先进的技术支持，产能就成为了关键。 目前英特尔在全球拥有四家300mm晶圆制造厂采用65nm工艺，它们分别是D1D，俄勒冈州，2005年10月F12，亚利桑那州，2005年11月F24，爱尔兰，2006年6月D1C，俄勒冈州，2006年11月以上四家制造厂为英特尔提供了充足的65nm产能，而在生产技术方面，英特尔也有其独到先进之处。 首先，英特尔在开发过程中，将缺陷密度降到最低等级，以确保高产能。 其次，英特尔精确复制（Copy Exactly）转移法也对控制高效给予了很大帮助Rob Willoner表示，有了以上这些技术的支持，相比过去的130nm和90nm发展，65nm可以说是最为顺利的，其发展速度最快，产能也最高。 正是因为有高产能+大规模的支持，才促进了英特尔能够及早推出四核产品。 ● 45nm工艺2007年投产一个新工艺从研发到投产，大约需要5年的周期。 在65nm之后，2007年下半年，英特尔45nm工艺将正式投入生产，而其大约是从2002年开始进行研发的据了解，目前英特尔45nm处理器已经设计完成，具有全部功能特性的45nm SRAM+逻辑测试电路已经于2006年1月推出，其中包括在45nm处理器当中使用的所有工艺特性。 153Mbit SRAM内存芯片将集成超过10亿个晶体管，45nm逻辑测试电路，包括高速寄存器，高速I/O，高频PPL/时钟电路等都已经设完成。 英特尔表示，就45nm工艺的成熟度而言，其他任何一家企业都无法展示在这一级别的能力● Penryn家族处理器规格曝光英特尔首款基于45nm工艺的处理器代号已确定为Penryn，其将继续基于酷睿微架构，不过在很多细节上做了改进，性能提升的同时，功耗进一步降低。 Penryn家族也将涉及到桌面、服务器和笔记本三大领域，其中包括第二代四核产品，该处理器将支持真正的SSE4指令集，在多媒体方面的表现进一步增强。 相比目前的酷睿2处理器，Penryn的核心频率将有所提升，并具备更大的告诉缓存，45nm工艺加上全新的功耗管理技术，让其在发热方面不会更高。 据了解，目前英特尔正在开发的基于45nm工艺的处理器达到15款之多。 ● 诠释摩尔定律每24个月芯片中晶体管的数量将翻番——这是大家都熟知的摩尔定律。 这一定律当前是否依然有效曾被很多人质疑，但最近一段时间英特尔的发展动向，却依然是按照摩尔定律前行，这就是最好的证明，在未来的很长一段时间里，该定律将依然有效。 在2003年英特尔130nm工艺投产，2005年65nm工艺投产，而到2007年45nm工艺将正式投产，可以看到工艺特性依然是以两年为发展周期，在2009年，英特尔将开始采用32nm工艺技术。 工艺技术提高30%，那么换算的核心尺寸将减小50%，晶体管数量最终还是翻番。 而工艺的提升，可以保证更多晶体管数量下功耗的不变或降低，核心尺寸也不会有所增加。 可以说英特尔是在用另一种方式对摩尔定律进行诠释。 ● 总结：技术领先与市场优势总体来看，英特尔在工艺技术方面处于绝对的领先地位，可以说超过整个行业一年，并且自身具备大规模制造能力，沿着摩尔定律所指引的方向前行，每两年就可以提升成本和节能方面的优势。 但技术上的领先能否转化为市场上的优势，对于一个半导体企业来讲也尤为关键。 正是这方面处理不好，让英特尔在过去的几年时间里走的磕磕绊绊，并且给了AMD高速发展的机会。 综观当前的处理器行业，多核、高效能以及低功耗是三大趋势，英特尔和AMD都在沿着这条路前行。 在工艺技术方面，英特尔无疑是领先的，但AMD则强在对市场的把握，一个市值仅有英特尔1/10的小公司，能够生存下来并有挑战的资本，终归有其理由。 英特尔已经抢先发布了四核处理器，但从客户需求以及软件支持等方面看，明年下半年才会是四核崭露头角的时候，届时AMD也将发布自己的产品，从这个角度来说AMD并没有落后太多。 英特尔能否将技术上的优势转化为市场上的优势，我们拭目以待
八颗处理器是什么
8个 ＣＰｕCPU
65nm工艺的元件和90nm工艺的元件有哪些区别？
1906年，世界第一枚电子器件划时代而生。 此后百年间，随着晶体管与集成电路的成功开发，人类开始步入速度惊人的芯片时代。 我们知道，能够带来突破性性能与尺寸的新体系结构，需要在更小的体积内放入更多的晶体管数目，需要更高级的芯片制程工艺。 从第一颗处理器到90纳米处理器，乃至65纳米处理器都是如此。 英特尔把这种以两年为周期的芯片与微体系结构快速发展步调称为“Tick-tock”战略。 当硅制程技术“Tick”与微体系结构“Tock”交替发展到65纳米阶段时，进一步突破遇到了难以逾越的瓶颈。 我们知道，一般的晶体管可分为低电阻层、多晶硅栅极和二氧化硅电介层。 其中，二氧化硅电介层在65纳米时代已降低至相当于五层原子的厚度，再进一步缩小则会遭遇电介层的漏电而达到极限。 但是，对业界影响深远的摩尔定律并没有因此而失去效力。 经历千万次的试验，英特尔将一种熔沸点和强度都极高且抗腐蚀性的新型金属铪(Hf)运用到芯片处理技术当中，创造出英特尔45纳米高Ｋ金属栅极硅制程技术层，替换二氧化硅电介层。 英特尔45纳米高Ｋ技术能将晶体管间的切换功耗降低近30%，将晶体管切换速度提高20%，而减少栅极漏电10倍以上，源极向漏极漏电5倍以上。 这就为芯片带来更低的功耗和更持久的电池使用时间，并拥有更多的晶体管数目以及更小尺寸。 2007年，英特尔发布第一款基于45纳米的四核英特尔至强处理器以及英特尔酷睿2至尊四核处理器，带领世界跨入45纳米全新时代。 难以置信的伟大突破！请继续探索45纳米世界，发现更多惊奇。
